Обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию эффекта Фарадея и в новом классе материалов — полумагнитных полупроводниках (ПМП). Обсуждаются механизмы возникновения гигантского эффекта Фарадея в ПМП, в основе которых лежат s, p-d-обменные взаимодействия экситонов, электронов, дырок с магнитными ионами. Рассмотрены особенности проявления фарадеевского вращения (ФВ) в зависимости от длины волны излучения, концентрации магнитной компоненты, температуры, напряженности магнитного поля для кристаллов A²B⁶, A²_1-xMn_xB⁶ и других ПМП (GaAs, CdP₂, Pb_1-xMn_xI₂). Уделено внимание вопросам использования ФВ для излучения перехода парамагнетик-спиновое стекло, выяснения роли релаксационных процессов с участием магнитных ионов Mn²⁺, экситонов, поляронов в прямом и обратном эффектах Фарадея, специфики ФВ в тонких пленках ПМП и спиновых сверхрешетках. Проанализированы возможности практического применения эффекта Фарадея в ПМП для разработки магнитооптических устройств (оптических изоляторов, волоконнооптических датчиков магнитного поля). Табл. 3. Ил. 25. Библиогр. ссылок 82.

RT Journal
T1 The Faraday effect in semimagnetic semiconductors
A1 Nikitin,P.I.
A1 Savchuk,A.I.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1990
FD 10 Nov, 1990
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 160
IS 11
SP 167-196
DO 10.3367/UFNr.0160.199011f.0167
LK https://ufn.ru/ru/articles/1990/11/f/