Обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию эффекта Фарадея и в новом классе материалов — полумагнитных полупроводниках (ПМП). Обсуждаются механизмы возникновения гигантского эффекта Фарадея в ПМП, в основе которых лежат s, p-d-обменные взаимодействия экситонов, электронов, дырок с магнитными ионами. Рассмотрены особенности проявления фарадеевского вращения (ФВ) в зависимости от длины волны излучения, концентрации магнитной компоненты, температуры, напряженности магнитного поля для кристаллов A²B⁶, A²_1-xMn_xB⁶ и других ПМП (GaAs, CdP₂, Pb_1-xMn_xI₂). Уделено внимание вопросам использования ФВ для излучения перехода парамагнетик-спиновое стекло, выяснения роли релаксационных процессов с участием магнитных ионов Mn²⁺, экситонов, поляронов в прямом и обратном эффектах Фарадея, специфики ФВ в тонких пленках ПМП и спиновых сверхрешетках. Проанализированы возможности практического применения эффекта Фарадея в ПМП для разработки магнитооптических устройств (оптических изоляторов, волоконнооптических датчиков магнитного поля). Табл. 3. Ил. 25. Библиогр. ссылок 82.

@article{Nikitin:1990,
	author = {П. И. Никитин and А. И. Савчук},
	title = {Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1990},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {160},
	number = {11},
	pages = {167-196},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1990/11/f/},
	doi = {10.3367/UFNr.0160.199011f.0167}
}