Выпуски

 / 

1990

 / 

Ноябрь

  

Из текущей литературы


Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках

Обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию эффекта Фарадея и в новом классе материалов — полумагнитных полупроводниках (ПМП). Обсуждаются механизмы возникновения гигантского эффекта Фарадея в ПМП, в основе которых лежат s, p-d-обменные взаимодействия экситонов, электронов, дырок с магнитными ионами. Рассмотрены особенности проявления фарадеевского вращения (ФВ) в зависимости от длины волны излучения, концентрации магнитной компоненты, температуры, напряженности магнитного поля для кристаллов A2B6, A21-xMnxB6 и других ПМП (GaAs, CdP2, Pb1-xMnxI2). Уделено внимание вопросам использования ФВ для излучения перехода парамагнетик-спиновое стекло, выяснения роли релаксационных процессов с участием магнитных ионов Mn2+, экситонов, поляронов в прямом и обратном эффектах Фарадея, специфики ФВ в тонких пленках ПМП и спиновых сверхрешетках. Проанализированы возможности практического применения эффекта Фарадея в ПМП для разработки магнитооптических устройств (оптических изоляторов, волоконнооптических датчиков магнитного поля). Табл. 3. Ил. 25. Библиогр. ссылок 82.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 78.20.Ls, 71.70.Gm, 71.35.−y, 75.50.Pp, 78.66.Li, 85.70.Sq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0160.199011f.0167
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1990/11/f/
Цитата: Никитин П И, Савчук А И "Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках" УФН 160 (11) 167–196 (1990)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Nikitin P I, Savchuk A I “The Faraday effect in semimagnetic semiconductorsSov. Phys. Usp. 33 (11) 974–989 (1990); DOI: 10.1070/PU1990v033n11ABEH002659

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение