Выпуски

 / 

1988

 / 

Декабрь

  

Обзоры актуальных проблем


Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов

Обзор теоретических и экспериментальных работ по заряженным дислокациям в щелочногалоидных кристаллах. Описана тонкая структура краевой дислокации с дефектами на линии дислокации. Дается последовательное изложение теории стационарной заряженной дислокации от рассмотрения ее в виде бесконечно длинной заряженной нити до учета тонкой структуры дислокационной линии. Изложены феноменологические модели, рассматривающие заряд на движущейся дислокации. Рассмотрены силы, действующие на дислокацию, и особенности ее движения при приложении внешней механической нагрузки и электрического поля. Описаны прямой и обратный дислокационные пьезоэффекты в кристалле, содержащем подвижные заряженные дислокации. При изложении экспериментальных работ особое внимание уделено исследованиям, позволяющим дать количественную оценку линейной плотности заряда на дислокации. Ил. 13. Библиогр. ссылок 116

Текст pdf (1,3 Мб)
PACS: 61.72.Bb, 61.72.Hh, 72.50.+b (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0156.198812c.0683
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1988/12/c/
Цитата: Тяпунина Н А, Белозерова Э П "Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов" УФН 156 683–717 (1988)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов
A1 Тяпунина,Н.А.
A1 Белозерова,Э.П.
PB Успехи физических наук
PY 1988
FD 10 Dec, 1988
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 156
IS 12
SP 683-717
DO 10.3367/UFNr.0156.198812c.0683
LK https://ufn.ru/ru/articles/1988/12/c/

English citation: Tyapunina N A, Belozerova É P “Charged dislocations and properties of alkali halide crystalsSov. Phys. Usp. 31 1060–1084 (1988); DOI: 10.1070/PU1988v031n12ABEH005660

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение