Дается краткий обзор ряда модельных теорий структурной неустойчивости в сегнетоэлектриках типа смещения. Особое внимание уделяется обсуждению идеи о компенсации вкладов сил близкодействия и дальнодействующих дипольных сил внутреннего поля в квадрат частоты критических колебаний решетки. Рассмотрена также вибронная теория сегнетоэлектричества и отмечены ее недостатки. Подробно излагается современная микроскопическая теория динамики решетки и дается вывод точных выражений для силовой матрицы кристалла, определяющей его фононный спектр. Обсуждается соответствующая теория для полярных неметаллических кристаллов. На примере сегнетоэлектриков-полупроводников из группы А⁴В⁶ рассматривается строгая микроскопическая формулировка задачи о причинах структурной неустойчивости этих соединений на основе точных выражений для матрицы силовых постоянных. Табл. 3. Ил. 2. Библиогр. ссылок 135 (146 назв.).