Выпуски

 / 

1986

 / 

Июнь

  

Совещания и конференции


Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы

 а,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

27 и 28 ноября 1985 г. в Институте физических проблем им. С. И. Вавилова АН СССР состоялась совместная научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики АН СССР. На сессии были заслушаны доклады:

27 ноября
1. А. А. С о б я н и н. Общие свойства систем с «двойной» критической точкой.
2. И. Л. Ф а б е л и н с к и й, С. В. К р и в о х и ж а, Л. Л. Ч а й к о в. Экспериментальное исследование растворов с «двойной» критической точкой.
3. А. А. В о л к о в, Г. В. К о з л о в, Е. Б. К р ю к о в а, А. А. С о б я н и н. Новое о динамике кристаллов сегнетовой соли (системы с «двойной» критической точкой).

28 ноября
4. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках.
5. Л. А. Ф а л ь к о в с к и й. Происхождение электронных спектров полуметаллов V группы.
6. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы.
Краткое содержание докладов приводится ниже.

Текст pdf (606 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003428
PACS: 71.20.Nr, 73.21.Fg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0149.198606j.0339
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/6/j/
Цитата: Волков Б А, Панкратов О А "Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы" УФН 149 339–342 (1986)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы
AU Волков, Б. А.
AU Панкратов, О. А.
PB Успехи физических наук
PY 1986
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 149
IS 6
SP 339-342
UR https://ufn.ru/ru/articles/1986/6/j/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0149.198606j.0339

English citation: Volkov B A, Pankratov O A “Inverted contact in semiconductors—a new inhomogeneous structure with a twodimensional gas of zero-mass electronsSov. Phys. Usp. 29 579–581 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003428

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение