Выпуски

 / 

1986

 / 

Июнь

  

Совещания и конференции


Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы

 а,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

27 и 28 ноября 1985 г. в Институте физических проблем им. С. И. Вавилова АН СССР состоялась совместная научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики АН СССР. На сессии были заслушаны доклады:

27 ноября
1. А. А. С о б я н и н. Общие свойства систем с «двойной» критической точкой.
2. И. Л. Ф а б е л и н с к и й, С. В. К р и в о х и ж а, Л. Л. Ч а й к о в. Экспериментальное исследование растворов с «двойной» критической точкой.
3. А. А. В о л к о в, Г. В. К о з л о в, Е. Б. К р ю к о в а, А. А. С о б я н и н. Новое о динамике кристаллов сегнетовой соли (системы с «двойной» критической точкой).

28 ноября
4. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках.
5. Л. А. Ф а л ь к о в с к и й. Происхождение электронных спектров полуметаллов V группы.
6. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы.
Краткое содержание докладов приводится ниже.

Текст pdf (606 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003428
PACS: 71.20.Nr, 73.21.Fg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0149.198606j.0339
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/6/j/
Цитата: Волков Б А, Панкратов О А "Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы" УФН 149 339–342 (1986)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы
AU Волков Б А
FAU Волков БА
AU Панкратов О А
FAU Панкратов ОА
DP 10 Jun, 1986
TA Усп. физ. наук
VI 149
IP 6
PG 339-342
RX 10.3367/UFNr.0149.198606j.0339
URL https://ufn.ru/ru/articles/1986/6/j/
SO Усп. физ. наук 1986 Jun 10;149(6):339-342

English citation: Volkov B A, Pankratov O A “Inverted contact in semiconductors—a new inhomogeneous structure with a twodimensional gas of zero-mass electronsSov. Phys. Usp. 29 579–581 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003428

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение