Выпуски

 / 

1986

 / 

Июнь

  

Совещания и конференции


Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках

 а,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

27 и 28 ноября 1985 г. в Институте физических проблем им. С. И. Вавилова АН СССР состоялась совместная научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики АН СССР. На сессии были заслушаны доклады:

27 ноября
1. А. А. С о б я н и н. Общие свойства систем с «двойной» критической точкой.
2. И. Л. Ф а б е л и н с к и й, С. В. К р и в о х и ж а, Л. Л. Ч а й к о в. Экспериментальное исследование растворов с «двойной» критической точкой.
3. А. А. В о л к о в, Г. В. К о з л о в, Е. Б. К р ю к о в а, А. А. С о б я н и н. Новое о динамике кристаллов сегнетовой соли (системы с «двойной» критической точкой).

28 ноября
4. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках.
5. Л. А. Ф а л ь к о в с к и й. Происхождение электронных спектров полуметаллов V группы.
6. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы.
Краткое содержание докладов приводится ниже.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.23.Ft, 77.22.−d, 71.55.Ht (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0149.198606h.0334
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/6/h/
Цитата: Волков Б А, Панкратов О А "Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках" УФН 149 334–336 (1986)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках
%A Б. А. Волков
%A О. А. Панкратов
%I Успехи физических наук
%D 1986
%J Усп. физ. наук
%V 149
%N 6
%P 334-336
%U https://ufn.ru/ru/articles/1986/6/h/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0149.198606h.0334

English citation: Volkov B A, Pankratov O A “Electronic structure of quasicubic crystals: energy bands, dielectric properties, and defects in narrow-gap semiconductors.Sov. Phys. Usp. 29 575–577 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003426

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение