Выпуски

 / 

1986

 / 

Июнь

  

Совещания и конференции


Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках

 а,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

27 и 28 ноября 1985 г. в Институте физических проблем им. С. И. Вавилова АН СССР состоялась совместная научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики АН СССР. На сессии были заслушаны доклады:

27 ноября
1. А. А. С о б я н и н. Общие свойства систем с «двойной» критической точкой.
2. И. Л. Ф а б е л и н с к и й, С. В. К р и в о х и ж а, Л. Л. Ч а й к о в. Экспериментальное исследование растворов с «двойной» критической точкой.
3. А. А. В о л к о в, Г. В. К о з л о в, Е. Б. К р ю к о в а, А. А. С о б я н и н. Новое о динамике кристаллов сегнетовой соли (системы с «двойной» критической точкой).

28 ноября
4. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках.
5. Л. А. Ф а л ь к о в с к и й. Происхождение электронных спектров полуметаллов V группы.
6. Б. А. В о л к о в, О. А. П а н к р а т о в. Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы.
Краткое содержание докладов приводится ниже.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.23.Ft, 77.22.−d, 71.55.Ht (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0149.198606h.0334
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/6/h/
Цитата: Волков Б А, Панкратов О А "Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках" УФН 149 334–336 (1986)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках
AU Волков, Б. А.
AU Панкратов, О. А.
PB Успехи физических наук
PY 1986
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 149
IS 6
SP 334-336
UR https://ufn.ru/ru/articles/1986/6/h/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0149.198606h.0334

English citation: Volkov B A, Pankratov O A “Electronic structure of quasicubic crystals: energy bands, dielectric properties, and defects in narrow-gap semiconductors.Sov. Phys. Usp. 29 575–577 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n06ABEH003426

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение