Рассмотрен новый тип безызлучательных переходов в неметаллических твердых телах, сопровождаемых не выделением тепла, а большими (по сравнению с межатомными расстояниями) смещениями отдельных атомов. Дана классификация таких нестабильностей в кристаллах и стеклах (электростатических, электронно-колебательных, структурных), ведущих к рождению дефектов. Описаны процессы дефектообразования как в ионных кристаллах при распаде автолокализующихся экситонов, так и в полупроводниках при многократной ионизации атомов вблизи исходно существующих заряженных центров примесей. Обсуждены механизмы перестройки сложных дефектов в полупроводниках при введении неравновесных носителей тока и при рекомбинации электронов и дырок. Рассмотрена роль носителей тока при тепловом создании дефектов. Обсужден механизм образования своеобразных дефектов в стеклообразных полупроводниках. Ил. 19. Библиогр. ссылок 212 (216 назв.).

PT Journal Article
TI Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений
AU Клингер М И
FAU Клингер МИ
AU Лущик Ч Б
FAU Лущик ЧБ
AU Машовец Т В
FAU Машовец ТВ
AU Холодарь Г А
FAU Холодарь ГА
AU Шейнкман М К
FAU Шейнкман МК
AU Эланго М А
FAU Эланго МА
DP 10 Nov, 1985
TA Усп. физ. наук
VI 147
IP 11
PG 523-558
RX 10.3367/UFNr.0147.198511d.0523
URL https://ufn.ru/ru/articles/1985/11/d/
SO Усп. физ. наук 1985 Nov 10;147(11):523-558