Обзор современного состояния исследований процесса диссоциативного прилипания электрона к молекуле, являющегося одним из основных механизмов образования отрицательных ионов в плазме электроотрицательных газов. На основе полуклассического модельного подхода анализируются основные характеристики процесса и их зависимость от параметров молекулы и энергии электрона. Рассмотрены важнейшие экспериментальные методы получения информации о характеристиках излучаемого процесса. Представлена информация подобного рода, полученная в последние годы. Анализируются ситуации, в которых процесс диссоциативного прилипания оказывает существенное влияние на свойства конкретных систем, содержащих низкотемпературную плазму. Среди этих систем — газовые лазеры, оптогальванические устройства, разряд высокого давления, газовые диэлектрики. Табл. 5. Ил. 16. Библиогр. ссылок 117 (126 назв.).