Выпуски

 / 

1983

 / 

Сентябрь

  

Совещания и конференции


Профилированные кристаллы: выращивание и применение

Расширенное заседание бюро Отделения общей физики и астрономии Академии наук СССР (16 февраля 1983 г.)

16 февраля 1983 г. в Институте физики твердого тела АН СССР (Черноголовка, Московская обл.) состоялось расширенное заседание бюро Отделения общей физики и астрономии, посвященное 20-летию Института физики твердого тела АН СССР. На заседании были заслушаны доклады:

1. Вступительное слово академика-секретаря ООФА АН СССР А. М. Прохорова.
2. Ю. А. Осипьян. Основные направления исследований в ИФТТ АН СССР.
3. В. Ф. Гантмахер. Низкотемпературная кинетика электронов проводимости в металлах и полупроводниках.
4. Е. Г. Понятовский. Фазы высокого давления в конденсированных системах и системах металл-газ.
5. С. Т. Милейко. Волокнистые композиты с металлической и керамической матрицами.
6. В. А. Татарченко. Профилированные кристаллы: выращивание и применение.
Приводится краткое содержание четырех докладов.

Текст pdf (162 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1983v026n09ABEH004504
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0141.198309h.0182
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/9/h/
Цитата: Татарченко В А "Профилированные кристаллы: выращивание и применение" УФН 141 182–183 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tatarchenko V A “Profiled crystals: growth and applicationsSov. Phys. Usp. 26 849–850 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n09ABEH004504

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение