RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1983

 / 

Сентябрь

←  →

Совещания и конференции


Профилированные кристаллы: выращивание и применение


Расширенное заседание бюро Отделения общей физики и астрономии Академии наук СССР (16 февраля 1983 г.)

16 февраля 1983 г. в Институте физики твердого тела АН СССР (Черноголовка, Московская обл.) состоялось расширенное заседание бюро Отделения общей физики и астрономии, посвященное 20-летию Института физики твердого тела АН СССР. На заседании были заслушаны доклады:

1. Вступительное слово академика-секретаря ООФА АН СССР А. М. Прохорова.
2. Ю. А. Осипьян. Основные направления исследований в ИФТТ АН СССР.
3. В. Ф. Гантмахер. Низкотемпературная кинетика электронов проводимости в металлах и полупроводниках.
4. Е. Г. Понятовский. Фазы высокого давления в конденсированных системах и системах металл-газ.
5. С. Т. Милейко. Волокнистые композиты с металлической и керамической матрицами.
6. В. А. Татарченко. Профилированные кристаллы: выращивание и применение.
Приводится краткое содержание четырех докладов.

Текст pdf (162 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1983v026n09ABEH004504
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0141.198309h.0182
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/9/h/
Цитата: Татарченко В А "Профилированные кристаллы: выращивание и применение" УФН 141 182–183 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tatarchenko V A “Profiled crystals: growth and applications” Sov. Phys. Usp. 26 849–850 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n09ABEH004504

Похожие статьи (20) ↓

  1. Е.Г. Понятовский «Фазы высокого давления в конденсированных системах и системах металл — газ» УФН 141 178–180 (1983)
  2. С.Т. Милейко «Волокнистые композиты с металлической и керамической матрицами» УФН 141 181–182 (1983)
  3. В.Ф. Гантмахер «Низкотемпературная кинетика электронов проводимости в металлах и полупроводниках» УФН 141 177–178 (1983)
  4. А.А. Вазина «Жидкие кристаллы и биологическая подвижность» УФН 141 549–551 (1983)
  5. Е.И. Кац «Флуктуации параметра порядка в жидких кристаллах» УФН 139 733–734 (1983)
  6. В.Л. Гуревич «Диэлектрическая релаксация и термополяризационный эффект в кристаллах» УФН 137 747–749 (1982)
  7. Ю.М. Каган «Квантовая диффузия в неидеальных кристаллах» УФН 141 541–544 (1983)
  8. О.Г. Вендик «Сегнетоэлектрические пленки (динамика мягкой моды, применение в технике СВЧ)» УФН 132 698–700 (1980)
  9. Э.Я. Зандберг, Н.И. Ионов «Поверхностная ионизация и ее применения» УФН 122 525–527 (1977)
  10. С.А. Пикин «Новые электромеханические эффекты в жидких кристаллах» УФН 120 704–705 (1976)
  11. Ю.С. Ведула, В.К. Медведев и др. «Экспериментальное исследование двумерных кристаллов» УФН 134 741–743 (1981)
  12. В.Л. Покровский «Фазовые переходы и солитоны в двумерных кристаллах» УФН 134 739–741 (1981)
  13. В.Н. Агеев, Э.Я. Зандберг и др. «Адсорбционно-десорбционные процессы на поверхности твердого тела» УФН 139 736–737 (1983)
  14. М.М. Сущинский «Комбинационное рассеяние света при фазовых переходах в кристаллах» УФН 126 676–677 (1978)
  15. Л.И. Девяткова, П.М. Лозовский и др. «Вакуумная ультрафиолетовая люминесценция монокристаллов LaF3» УФН 126 696–698 (1978)
  16. Ю.Г. Птушинский, А.Г. Наумовец, О.А. Панченко «Электронно-адсорбционные явления на поверхности металлических монокристаллов» УФН 122 527–528 (1977)
  17. В.И. Таланов «Стимулированная диффузия и кооперативное поведение компонент в распределенных кинетических системах» УФН 137 745–746 (1982)
  18. Г.М. Заславский «Особенности возникновения стохастичности в квантовых системах» УФН 134 745–746 (1981)
  19. Д.Ф. Алферов, Ю.А. Башмаков и др. «Источники ондуляторного излучения (теория, эксперимент, применения)» УФН 128 177–180 (1979)
  20. А.А. Каплянский «Оптические исследования высокочастотных (1012 Гц) акустических фононов в кристаллах» УФН 134 168–170 (1981)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение