СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Излучение релятивистской заряженной частицы во внешнем поле
а) Спектральная плотность излучения в классической электродинамике. б) Излучение при малом изменении кривизны траектории частицы. в) Излучение в области малых частот. г) Излучение в дипольном приближении. д) Синхротронное излучение.
3. Тормозное излучение релятивистской частицы, движущейся в аморфной среде, и эффект Ландау – Померанчука
а) Эффект Ландау – Померанчука. б) Излучение в тонком слое вещества.
4. Теория когерентного излучения релятивистских частиц в кристалле в борновском приближении
а) Сечение излучения в борновском приближении. б) Сечение излучения при движении электрона вблизи кристаллической оси. в) Сечение излучения при движении электрона вблизи кристаллической плоскости. г) Спектральная плотность излучения в классической электродинамике в первом приближении по потенциалу.
5. Излучение при движении релятивистских частиц вблизи кристаллической плоскости
а) Спектральная плотность излучения надбарьерных и каналированных частиц. б) Излучение надбарьерных частиц при θ ≲ θ_c. в) Излучение электронов и позитронов при θ θ_c. г) Влияние расходимости частиц в пучке на излучение. д) Учет недипольности излучения. е) Сравнение результатов теории и эксперимента.
6. Движение релятивистских электронов и позитронов вблизи кристаллографической оси
а) Приближение непрерывных цепочек. б) Рассеяние частицы на отдельной цепочке атомов. в) Многократное рассеяние быстрых частиц на цепочках атомов кристалла.
7. Излучение при движении релятивистской частицы вблизи кристаллической оси
а) Излучение в тонком кристалле при l_c L. б) Излучение в дипольном приближении при l_c L. в) Излучение в области малых частот. г) Излучение в области больших частот. д) Излучение электронами. е) Излучение позитронами.
8. Заключение
Список основных обозначений
Цитированная литература