Краевая люминесценция прямозонных полупроводников

Введение. Люминесценция слабо легированных полупроводников. Вероятности спонтанных излучательных переходов. Экситонная люминесценция. Межзонная излучательная рекомбинация. Примесная излучательная рекомбинация. Межпримесная (донорно- акцепторная) рекомбинация. О роли различных каналов излучательной рекомбинации. Люминесценция сильно легированных полупроводников. Энергетический спектр СЛП. Основные каналы излучательной рекомбинации. «Межзонная» излучательная рекомбинация в СЛП. Примесная излучательная рекомбинация в СЛП. Межпримесная излучательная рекомбинация в СЛП. Краевая люминесценция сильно компенсированных СЛП (СЛКП). Переходные характеристики люминесценции. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (3,5 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n03ABEH004770

PACS: 78.55.Hx, 78.60.Fi, 71.55.Ht, 71.25.Tn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0133.198103b.0427
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/3/b/
Цитата: Леванюк А П, Осипов В В "Краевая люминесценция прямозонных полупроводников" УФН 133 427–477 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Edge luminescence of direct-gap semiconductors
AU Levanyuk A P
FAU Levanyuk AP
AU Osipov V V
FAU Osipov VV
DP 10 Mar, 1981
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 133
IP 3
PG 427-477
RX 10.3367/UFNr.0133.198103b.0427
URL https://ufn.ru/ru/articles/1981/3/b/
SO Usp. Fiz. Nauk 1981 Mar 10;133(3):427-477

English citation: Levanyuk A P, Osipov V V “Edge luminescence of direct-gap semiconductors” Sov. Phys. Usp. 24 187–215 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n03ABEH004770