Краевая люминесценция прямозонных полупроводников

Введение. Люминесценция слабо легированных полупроводников. Вероятности спонтанных излучательных переходов. Экситонная люминесценция. Межзонная излучательная рекомбинация. Примесная излучательная рекомбинация. Межпримесная (донорно- акцепторная) рекомбинация. О роли различных каналов излучательной рекомбинации. Люминесценция сильно легированных полупроводников. Энергетический спектр СЛП. Основные каналы излучательной рекомбинации. «Межзонная» излучательная рекомбинация в СЛП. Примесная излучательная рекомбинация в СЛП. Межпримесная излучательная рекомбинация в СЛП. Краевая люминесценция сильно компенсированных СЛП (СЛКП). Переходные характеристики люминесценции. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (3,5 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n03ABEH004770

PACS: 78.55.Hx, 78.60.Fi, 71.55.Ht, 71.25.Tn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0133.198103b.0427
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/3/b/
Цитата: Леванюк А П, Осипов В В "Краевая люминесценция прямозонных полупроводников" УФН 133 427–477 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Edge luminescence of direct-gap semiconductors
AU Levanyuk, A. P.
AU Osipov, V. V.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1981
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 133
IS 3
SP 427-477
UR https://ufn.ru/ru/articles/1981/3/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0133.198103b.0427

English citation: Levanyuk A P, Osipov V V “Edge luminescence of direct-gap semiconductors” Sov. Phys. Usp. 24 187–215 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n03ABEH004770