|
||||||||||||||||||
Сверхпроводники с избыточными квазичастицамиа Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Каширское шоссе 31, Москва, 115409, Российская Федерация б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация Введение. Избыточные квазичастицы в сверхпроводниках с притяжением между электронами. Основные уравнения. Уравнение для параметра порядка. Кинетическое уравнение для квазичастиц. Источники неравновесных квазичастиц. Кинетическое уравнение для фононов. Кинетика квазичастиц в сверхпроводниках. Однородные состояния сверхпроводников с широким источником квазичастиц. Эвристические модели функций распределения квазичастиц. Модель «k =-1, γ = 0, T = 0» Энергетическое распределение неравновесных квазичастиц, рожденных широким источником. Сравнение с экспериментом. Параметр порядка. Критическая мощность. Генерация неравновесных фононов. Магнитные свойства неравновесных сверхпроводников. Вольт-амперные характеристики туннельных переходов. Однородные состояния сверхпроводников с узким источником квазичастиц. Концентрация квазичастиц и параметр порядка вблизи порога инжекции. Функции распределения квазичастиц в сверхпроводнике с узким источником. Пороговое поглощение электромагнитного поля и вольт-амперные характеристики туннельных переходов при пороговом напряжении. Неустойчивости в сверхпроводниках с избыточными квазичастицами. Типы неустойчивостей. Пороговая неустойчивость. Пороговая неустойчивость в сверхпроводниках с туннельной инжекциеи. Когерентная неустойчивость. Кинетический подход. Оптическая накачка. Замкнутое уравнение для Δ; Диффузионная неустойчивость. Неоднородные состояния в сверхпроводниках с избыточными квазичастицами. Структура неоднородного состояния сверхпроводника с широким источником в отсутствие диффузии квазичастиц. Структура неоднородного состояния сверхпроводника с учетом диффузии квазичастиц. Неоднородные состояния сверхпроводника с узким источником квазичастиц. Нестационарное неоднородное промежуточное состояние. Стационарное неоднородное состояние в сверхпроводниках с туннельной инжекциеи. Сравнение с экспериментом. Структура неоднородного состояния в диффузионной модели. Сверхпроводники с инверсным распределением квазичастиц. Сверхпроводящее спаривание в системах с отталкиванием. Создание инверсного распределения квазичастиц. Исследование устойчивости сверхпроводника с инверсным распределением. Электромагнитные свойства. Заключение. Цитированная литература.
|
||||||||||||||||||
|