Выпуски

 / 

1980

 / 

Октябрь

  

Методические заметки


Примесные H-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках

Содержание: Введение. Экспериментальные данные по субмиллиметровой фотопроводимости Ge и Si. Модели комплексов с участием H-подобных центров. Анализ экспериментальных результатов по фотопроводимости. Заключение. Приложение. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.70.Wp
DOI: 10.3367/UFNr.0132.198010g.0353
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1980/10/g/
Цитата: Гершензон Е М, Мельников А П, Рабинович Р И, Серебрякова Н А "Примесные H-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках" УФН 132 353–378 (1980)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gershenzon E M, Mel’nikov A P, Rabinovich R I, Serebryakova N A “H--like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductorsSov. Phys. Usp. 23 684–698 (1980); DOI: 10.1070/PU1980v023n10ABEH005041

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение