Примесные H<sup>−</sup>-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках

Содержание: Введение. Экспериментальные данные по субмиллиметровой фотопроводимости Ge и Si. Модели комплексов с участием H⁻-подобных центров. Анализ экспериментальных результатов по фотопроводимости. Заключение. Приложение. Цитированная литература.

Текст pdf (1,6 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1980v023n10ABEH005041

PACS: 61.70.Wp
DOI: 10.3367/UFNr.0132.198010g.0353
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1980/10/g/
Цитата: Гершензон Е М, Мельников А П, Рабинович Р И, Серебрякова Н А "Примесные H⁻-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках" УФН 132 353–378 (1980)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Примесные H⁻-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках
A1 Гершензон,Е.М.
A1 Мельников,А.П.
A1 Рабинович,Р.И.
A1 Серебрякова,Н.А.
PB Успехи физических наук
PY 1980
FD 10 Oct, 1980
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 132
IS 10
SP 353-378
DO 10.3367/UFNr.0132.198010g.0353
LK https://ufn.ru/ru/articles/1980/10/g/

English citation: Gershenzon E M, Mel’nikov A P, Rabinovich R I, Serebryakova N A “H^--like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 23 684–698 (1980); DOI: 10.1070/PU1980v023n10ABEH005041

Выпуски

/

1980

/

Октябрь

← →

Примесные H−-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках

Примесные H⁻-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках