Примесные H<sup>−</sup>-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках

Содержание: Введение. Экспериментальные данные по субмиллиметровой фотопроводимости Ge и Si. Модели комплексов с участием H⁻-подобных центров. Анализ экспериментальных результатов по фотопроводимости. Заключение. Приложение. Цитированная литература.

Текст pdf (1,6 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1980v023n10ABEH005041

PACS: 61.70.Wp
DOI: 10.3367/UFNr.0132.198010g.0353
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1980/10/g/
Цитата: Гершензон Е М, Мельников А П, Рабинович Р И, Серебрякова Н А "Примесные H⁻-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках" УФН 132 353–378 (1980)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gershenzon E M, Mel’nikov A P, Rabinovich R I, Serebryakova N A “H^--like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 23 684–698 (1980); DOI: 10.1070/PU1980v023n10ABEH005041

Выпуски

/

1980

/

Октябрь

← →

Примесные H−-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках

Примесные H⁻-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках