Выпуски

 / 

1979

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Микропинч в сильноточном диоде

,  а, ,
а Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 117334, Российская Федерация

Содержание: Введение. Экспериментальные исследования микропинча. Установка для изучения искрового разряда. Характеристики тока. Излучение микропинчевой области. Микроволновое и инфракрасное излучение. Видимая область спектра. Рентгеновское излучение. Многократно ионизованные ионы. Ускорение ионов. Структура микропинча, его пространственная локализация н временные характеристики. Теоретические представления о микропинче. Равновесие плазмы в сильном магнитном поле тока. Движение зарядов в микропинчевои области. Бесстолкновительное излучение. Эволюция вакуумной искры. Динамика сжатия и радиационный коллапс. Характеристики излучения. Сравнение с экспериментом. Заключение. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 52.55.Ez, 52.25.Ps, 52.25.Lp
DOI: 10.3367/UFNr.0129.197909c.0087
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1979/9/c/
Цитата: Короп Е Д, Мейерович Б Э, Сидельников Ю В, Сухоруков С Т "Микропинч в сильноточном диоде" УФН 129 87–112 (1979)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Korop E D, Meierovich B E, Sidel’nikov Yu V, Sukhorukov S T “Micropinch in a high-current diodeSov. Phys. Usp. 22 727–741 (1979); DOI: 10.1070/PU1979v022n09ABEH005608

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение