Содержание: Введение. Рекомбинационные механизмы создания инверсной населенности уровней атомов и ионов. Релаксация населенностей. Простейшая схема плазменного лазера. Общие схемы расчета. Приближения интенсивной рекомбинации. Инверсная населенность в плазме простого химического состава. Радиационный механизм очищения нижнего рабочего уровня. Девозбуждение электронами. Плазма, состоящая из взаимодействующих химических компонент. Влияние примеси на характер неравновесности. Инверсная населенность. Химическое очищение нижних уровней в атомах. Способы получения переохлажденной плазмы. Импульсные плазменные лазеры. Механизмы охлаждения электронов. Лазеры, работающие в послесвечении электрического разряда. Квазистационарные схемы. Общие вопросы. Электронно-пучковый плазменный лазер. Атомный реактор-лазер. Плазмодинамические лазеры. Плазменные лазеры на разлетных молекулах. Схема наполнения возбужденного состояния. Условия усиления. Каналы релаксации. Режимы усиления. Импульсный режим. Стационарный режим. Реализация усиления. Заключение. Цитированная литература.

@article{Gudzenko:1974,
	author = {Л. И. Гудзенко and Л. А. Шелепин and С. И. Яковленко},
	title = {Усиление в рекомбинирующей плазме (плазменные лазеры)},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1974},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {114},
	number = {11},
	pages = {457-485},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1974/11/c/},
	doi = {10.3367/UFNr.0114.197411c.0457}
}