Содержание: Введение. Рекомбинационные механизмы создания инверсной населенности уровней атомов и ионов. Релаксация населенностей. Простейшая схема плазменного лазера. Общие схемы расчета. Приближения интенсивной рекомбинации. Инверсная населенность в плазме простого химического состава. Радиационный механизм очищения нижнего рабочего уровня. Девозбуждение электронами. Плазма, состоящая из взаимодействующих химических компонент. Влияние примеси на характер неравновесности. Инверсная населенность. Химическое очищение нижних уровней в атомах. Способы получения переохлажденной плазмы. Импульсные плазменные лазеры. Механизмы охлаждения электронов. Лазеры, работающие в послесвечении электрического разряда. Квазистационарные схемы. Общие вопросы. Электронно-пучковый плазменный лазер. Атомный реактор-лазер. Плазмодинамические лазеры. Плазменные лазеры на разлетных молекулах. Схема наполнения возбужденного состояния. Условия усиления. Каналы релаксации. Режимы усиления. Импульсный режим. Стационарный режим. Реализация усиления. Заключение. Цитированная литература.

PT Journal Article
TI Усиление в рекомбинирующей плазме (плазменные лазеры)
AU Гудзенко Л И
FAU Гудзенко ЛИ
AU Шелепин Л А
FAU Шелепин ЛА
AU Яковленко С И
FAU Яковленко СИ
DP 10 Nov, 1974
TA Усп. физ. наук
VI 114
IP 11
PG 457-485
RX 10.3367/UFNr.0114.197411c.0457
URL https://ufn.ru/ru/articles/1974/11/c/
SO Усп. физ. наук 1974 Nov 10;114(11):457-485