Выпуски

 / 

1974

 / 

Январь

  

Обзоры актуальных проблем


Электрические явления в аморфных пленках окислов

Содержание: Введение. Перенос заряда в диэлектриках. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Электрический пробой. Процесс формовки. Явления, наблюдаемые при формовке. Модели процесса формовки. Проводимость и явления переключения и памяти. Наблюдение явлений переноса, переключения и памяти. Теории эффектов переключения и памяти в пленках окислов. Исследования на триодах. Электронная эмиссия, люминесценция и другие явления. Электронная эмиссия. Электролюминесценция в структурах МДМ. Теории электронной эмиссии и электролюминесценции. Инжекционная электролюминесценция в структурах МОП (металл — окисел — полупроводник). Шумы. Сравнение с другими системами. Отрицательное сопротивление S-типа и бистабильное переключение в окислах. Сравнение с элементами Овшинского. Сопоставление эффектов переключения в кристаллических, поликристаллических и аморфных пленках. Практические приложения. Заключение. Цитированная литература.
G. Dеаrnаlеу, А. М. Stоnеham, D. V. Morgan, Electrical Phenomena in Amorphous Oxide Films, Rept. Progr. Phys. 33, 1129 (1970). Перевод Η. Μ. Буйловой, под редакцией В. Б. Сандомирского. Печатается с некоторыми сокращениями.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
DOI: 10.3367/UFNr.0112.197401c.0083
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1974/1/c/
Цитата: Дирнлей Дж, Стоунхэм А, Морган Д "Электрические явления в аморфных пленках окислов" УФН 112 83–128 (1974)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение