В статье дан обзор исследований механизма образования инверсной населенности колебательных уровней в газоразрядных СО-лазерах, работающих при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Значительное место уделено изложению имеющихся в настоящее время теоретических и экспериментальных данных о вероятностях колебательных переходов в молекулах. Детально обсуждаются работы, в которых проведены расчеты населенностей колебательных уровней в СО-лазере. Анализ указанных работ приводит к выводу о правильности гипотезы, согласно которой накачка энергии в колебательные степени свободы молекул СО происходит электронным ударом, заселение же высоколежащих уровней — в процессе релаксации окиси углерода. Последний процесс обусловлен механизмом релаксации системы ангармонических осцилляторов, впервые рассмотренным Трейнором. Иллюстраций 21, библиографических ссылок 44 (52 назв.).