Выпуски

 / 

1966

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции

Текст pdf (940 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1967v009n05ABEH003215
PACS: 68.43.Mn, 68.35.Md, 61.66.−f (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0090.196610c.0275
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1966/10/c/
Цитата: Волькенштейн Ф "Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции" УФН 90 275–289 (1966)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Electronic processes at the surface of a semiconductor during chemisorption
AU Vol’kenshtein F
FAU Vol’kenshtein F
DP 10 Oct, 1966
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 90
IP 10
PG 275-289
RX 10.3367/UFNr.0090.196610c.0275
URL https://ufn.ru/ru/articles/1966/10/c/
SO Usp. Fiz. Nauk 1966 Oct 10;90(10):275-289

English citation: Vol’kenshtein F “Electronic processes at the surface of a semiconductor during chemisorptionSov. Phys. Usp. 9 743–751 (1967); DOI: 10.1070/PU1967v009n05ABEH003215

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение