Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции

PACS: 68.43.Mn, 68.35.Md, 61.66.−f (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0090.196610c.0275
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1966/10/c/
Цитата: Волькенштейн Ф "Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции" УФН 90 275–289 (1966)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции
A1 Волькенштейн,Ф.
PB Успехи физических наук
PY 1966
FD 10 Oct, 1966
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 90
IS 10
SP 275-289
DO 10.3367/UFNr.0090.196610c.0275
LK https://ufn.ru/ru/articles/1966/10/c/

English citation: Vol’kenshtein F “Electronic processes at the surface of a semiconductor during chemisorption” Sov. Phys. Usp. 9 743–751 (1967); DOI: 10.1070/PU1967v009n05ABEH003215