Выпуски

 / 

1961

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Слоисто-спиральный рост кристаллов

I. Поверхность кристалла, находящегося в равновесии с окружающей средой.Поверхностная энергия кристаллов. Элементарные ступени и изломы на них. Поверхностная энергия кристалла. Формула Херринга. Угловые точки на профиле поверхности кристалла. Условия устойчивости поверхности. Равновесная форма незамкнутой кривой. Рост кристаллов из паров. Частицы, адсорбированные на поверхности. Перемещение изолированной ступени. Эшелон параллельных элементарных ступеней. Нормальная скорость слоисто-спирального роста. Движение макроскопических ступеней. Некоторые экспериментальные данные. Испарение. Рост кристаллов из раствора и расплава. Введение. Перемещение эшелона элементарных ступеней. Нормальная скорость роста. Некоторые экспериментальные данные. Рост из расплава. Диффузионное поле и скорость перемещения макроскопической ступени. Взаимодействие растущего кристалла с примесями. Влияние примесей на скорость роста.Сильно адсорбирующиеся примеси, захватываемые кристаллом при росте. Примеси, отравляющие изломы. Неравновесный захват примеси при росте кристалла. Образование дислокаций при захвате примесей. Травление. Коллективные эффекты при движении ступеней. «Ударные волны» плотности ступеней. Кинетическое уравнение для ступеней. Цитированная литература.Классические представления.

Текст pdf (4,3 Мб)
PACS: 81.10.Bk, 81.10.Dn, 81.10.Fq, 68.35.Md, 81.65.Cf, 61.72.Ss (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0073.196102c.0277
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1961/2/c/
Цитата: Чернов А А "Слоисто-спиральный рост кристаллов" УФН 73 277–331 (1961)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Chernov A A “The spiral growth of crystalsSov. Phys. Usp. 4 116–148 (1961); DOI: 10.1070/PU1961v004n01ABEH003328

Статьи, ссылающиеся на эту (521) Похожие статьи (20) ↓

  1. И.Н. Странский, Р. Каишев «К теории роста кристаллов» 21 408–465 (1939)
  2. А.А. Чернов «Рост цепей сополимеров и смешанных кристаллов — статистика проб и ошибок» 100 277–328 (1970)
  3. Я.Е. Гегузин, Н.Н. Овчаренко «Поверхностная энергия и процессы на поверхности твердых тел» 76 283–328 (1962)
  4. Э.М. Надгорный, Ю.А. Осипьян и др. «Нитевидные кристаллы с прочностью, близкой к теоретической» 67 625–662 (1959)
  5. Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский «Диффузионный перенос массы в островковых пленках» 125 489–525 (1978)
  6. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов «Процессы конденсации тонких пленок» 168 1083–1116 (1998)
  7. А.Ф. Андреев «Диффузия в квантовых кристаллах» 118 251–271 (1976)
  8. В.Л. Гинзбург «Теория сегнетоэлектрических явлений» 38 490–525 (1949)
  9. М.И. Гусева, Ю.В. Мартыненко «Радиационный блистеринг» 135 671–691 (1981)
  10. Л.М. Блинов, В.М. Фридкин и др. «Двумерные сегнетоэлектрики» 170 247–262 (2000)
  11. Н.В. Карлов, А.М. Прохоров «Селективные процессы на границе раздела двух сред, индуцированные резонансным лазерным излучением» 123 57–82 (1977)
  12. А.В. Латышев, А.Л. Асеев «Моноатомные ступени на поверхности кремния» 168 1117–1127 (1998)
  13. Э.Я. Зандберг, Н.И. Ионов «Поверхностная ионизация» 67 581–623 (1959)
  14. Ф. Волькенштейн «Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции» 90 275–289 (1966)
  15. П.А. Ребиндер, Е.Д. Щукин «Поверхностные явления в твердых телах в процессах их деформации и разрушения» 108 3–42 (1972)
  16. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» 114 185–211 (1974)
  17. И.Д. Конозенко, М.П. Круликовская, Б.А. Данильченко «Структурные и фазовые изменения в металлах и сплавах, закристаллизованных в потоке гамма-квантов» 161 (6) 149–169 (1991)
  18. Дж. Кан «Теория роста кристалла и движения границы раздела фаз в кристаллических материалах» 91 677–689 (1967)
  19. Е.Ю. Кокориш, Н.Н. Шефталь «Дислокации в полупроводниковых кристаллах» 72 479–494 (1960)
  20. А.Л. Ройтбурд «Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твердом состоянии» 113 69–104 (1974)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение