Процессы радиационной ионизации в кристаллах германия и кремния

Взаимодействие электромагнитного излучения и заряженных частиц с кристаллами может сопровождаться ионизацией, т. е. возникновением избыточных носителей тока. Эксперименты с монокристаллами кремния подтвердили теоретические предсказания о влиянии наложенного извне электрического поля на процесс фотоионизации. Исследование фотоионизации в глубине основной полосы оптического поглощения германия и кремния показало, что при достаточно больших энергиях фотонов квантовый выход возрастает до величин, значительно превосходящих единицу. В области энергий фотонов, во много раз превышающих ширину запрещенной полосы, квантовый выход пропорционален энергии фотона. В случае ионизации при прохождении быстрых заряженных частиц средняя энергия, приходящаяся на пару электрон—дырка, не зависит от энергии частицы.

Текст pdf (976 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 72.40.+w, 72.80.Cw, 72.20.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0075.196110h.0263
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1961/10/h/
Цитата: Вавилов В С "Процессы радиационной ионизации в кристаллах германия и кремния" УФН 75 263–276 (1961)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Radiation ionization processes in germanium and silicon crystals
AU Vavilov, V. S.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1961
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 75
IS 10
SP 263-276
UR https://ufn.ru/ru/articles/1961/10/h/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0075.196110h.0263

English citation: Vavilov V S “Radiation ionization processes in germanium and silicon crystals” Sov. Phys. Usp. 4 761–769 (1962); DOI: 10.1070/PU1962v004n05ABEH003376