Выпуски

 / 

1961

 / 

Октябрь

  

Специальный выпуск


Процессы радиационной ионизации в кристаллах германия и кремния

Взаимодействие электромагнитного излучения и заряженных частиц с кристаллами может сопровождаться ионизацией, т. е. возникновением избыточных носителей тока. Эксперименты с монокристаллами кремния подтвердили теоретические предсказания о влиянии наложенного извне электрического поля на процесс фотоионизации. Исследование фотоионизации в глубине основной полосы оптического поглощения германия и кремния показало, что при достаточно больших энергиях фотонов квантовый выход возрастает до величин, значительно превосходящих единицу. В области энергий фотонов, во много раз превышающих ширину запрещенной полосы, квантовый выход пропорционален энергии фотона. В случае ионизации при прохождении быстрых заряженных частиц средняя энергия, приходящаяся на пару электрон—дырка, не зависит от энергии частицы.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.40.+w, 72.80.Cw, 72.20.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0075.196110h.0263
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1961/10/h/
Цитата: Вавилов В С "Процессы радиационной ионизации в кристаллах германия и кремния" УФН 75 263–276 (1961)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Radiation ionization processes in germanium and silicon crystalsSov. Phys. Usp. 4 761–769 (1962); DOI: 10.1070/PU1962v004n05ABEH003376

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение