Излучательная рекомбинация в полупроводниках

В настоящем обзоре излагаются основные теоретические представления об излучательной рекомбинации в полупроводниках и экспериментальные результаты, полученные до конца 1958 г.

Текст pdf (1007 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 72.20.Jv, 72.80.Cw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0068.195906b.0247
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1959/6/b/
Цитата: Вавилов В С "Излучательная рекомбинация в полупроводниках" УФН 68 247–260 (1959)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Radiative recombination in semiconductors
A1 Vavilov,V.S.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1959
FD 10 Jun, 1959
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 68
IS 6
SP 247-260
DO 10.3367/UFNr.0068.195906b.0247
LK https://ufn.ru/ru/articles/1959/6/b/

English citation: Vavilov V S “Radiative recombination in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 2 455–464 (1959); DOI: 10.1070/PU1959v002n03ABEH003138