Излучательная рекомбинация в полупроводниках

В настоящем обзоре излагаются основные теоретические представления об излучательной рекомбинации в полупроводниках и экспериментальные результаты, полученные до конца 1958 г.

Текст pdf (1007 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 72.20.Jv, 72.80.Cw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0068.195906b.0247
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1959/6/b/
Цитата: Вавилов В С "Излучательная рекомбинация в полупроводниках" УФН 68 247–260 (1959)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Излучательная рекомбинация в полупроводниках
A1 Вавилов,В.С.
PB Успехи физических наук
PY 1959
FD 10 Jun, 1959
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 68
IS 6
SP 247-260
DO 10.3367/UFNr.0068.195906b.0247
LK https://ufn.ru/ru/articles/1959/6/b/

English citation: Vavilov V S “Radiative recombination in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 2 455–464 (1959); DOI: 10.1070/PU1959v002n03ABEH003138