 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 12, 2024 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Выпуски/1959/Июнь |
← → |
| Обзоры актуальных проблем |
Излучательная рекомбинация в полупроводниках
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
В настоящем обзоре излагаются основные теоретические представления об излучательной рекомбинации в полупроводниках и экспериментальные результаты, полученные до конца 1958 г.
|
PACS: 72.20.Jv, 72.80.Cw ()
DOI: URL: https://ufn.ru/ru/articles/1959/6/b/ Цитата: Вавилов В С "Излучательная рекомбинация в полупроводниках" УФН 68 247–260 (1959) English citation: Vavilov V S “Radiative recombination in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 2 455–464 (1959); |
|
© Успехи физических наук, 1918–2024 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |