Э.Г. Батыев



Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация


Статьи

  1. Э.Г. Батыев «Парамагнетизм Паули и диамагнетизм Ландау» УФН 179 1333–1334 (2009)

Подписи в персоналиях

  1. А.Л. Асеев, Э.Г. Батыев, В.С. Львов и др. «Памяти Виктора Иосифовича Белиничера» УФН 172 109–110 (2002)

См. также: А.Ф. Андреев, В.Л. Гинзбург, Л.В. Келдыш, А.Н. Скринский, Г.А. Месяц, Л.П. Питаевский, Е.П. Велихов, В.А. Матвеев, А.М. Прохоров, В.А. Рубаков, Б.Б. Кадомцев, А.С. Боровик-Романов, Ж.И. Алферов, Е.Л. Фейнберг, В.Е. Фортов

PACS: 75.20.-g, 01.60.+q

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение