Д.В. Шитц



Институт сильноточной электроники СО РАН
Адрес: пр. Академический 2/3, Томск, 634055, Российская Федерация
Факс: +7 (382) 225 94 10
Вебсайт:


Статьи

  1. М.И. Ломаев, В.С. Скакун, Э.А. Соснин и др. «Эксилампы — эффективные источники спонтанного УФ- и ВУФ-излучения» 173 201–217 (2003)

См. также: М.И. Ломаев, Э.А. Соснин, В.Ф. Тарасенко, М.В. Ерофеев, В.С. Скакун

PACS: 07.60.-j, 42.72.Bj, 52.80.-s

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение