Дан обзор результатов исследований полупроводниковых квантовых ям первого рода, выращенных на сингулярных подложках GaAs (001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). В основе цикла описываемых работ был метод "накачка — зондирование" с временным разрешением 0.13 пикосекунд и чувствительностью по отражению 5 × 10^-6. Описан также метод увеличения быстродействия оптических затворов на базе квантовых ям, основанный на туннелировании носителей заряда между квантовыми ямами; времена восстановления линейного отражения при этом достигают 0.4 пс. Дана информация о разработке компактного Yb:KYW лазера с генерацией импульсов длительностью до 200 фс, с максимальной средней выходной мощностью 2.5 Вт (мощность оптической накачки 5 Вт) и с максимальной частотой следования фемтосекундных импульсов 0.98 ГГц. Порог разрушения оптического затвора не менее 8.87 мДж/см². Это вдвое выше, чем у коммерческого затвора.