Влияние внешних воздействий на низкотемпературную проводимость СИНИС туннельных структур
С.А. Лемзякова,
М.А. Тарасовб,
В.С. Эдельмана аИнститут физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 119334, Российская Федерация бИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, ул. Моховая 11, кор. 7, Москва, 125009, Российская Федерация
Дан обзор наиболее примечательных экспериментов, проведенных в ИФП
РАН в кооперации с ИРЭ РАН по влиянию миллиметрового облучения, температуры T и магнитного поля B на проводимость туннельных структур сверхпроводник — изолятор — нормальный металл — изолятор — сверхпроводник (СИНИС) при температурах T ≪ TC и при малых напряжениях, при которых одноэлектронный ток сравним или меньше подщелевого двух электронного андреевского тока. Установлено, что при облучении с энергией квантов ħω ≫ kT электронная подсистема в нормальном металле не достигает равновесия. При
импульсном облучении получена оценка постоянной времени СИНИС структур
как детектора излучения на уровне единиц микросекунд. Исследовано воздействие магнитного поля на одноэлектронную и на андреевскую проводимость СИНИС.
Ключевые слова: туннельные переходы, структуры сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник, андреевский ток, детекторы излучения миллиметрового диапазона, электронная температура, электрон-фононное взаимодействие, вихревая структура Абрикосова DOI:10.3367/UFNr.2024.12.039844 Цитата: Лемзяков С А, Тарасов М А, Эдельман В С "Влияние внешних воздействий на низкотемпературную проводимость СИНИС туннельных структур" УФН, принята к публикации
Поступила: 17 января 2025, одобрена в печать: 18 декабря 2024