Cтатьи, принятые к публикации

Конференции и симпозиумы


Влияние внешних воздействий на низкотемпературную проводимость СИНИС туннельных структур

 а,  б,  а
а Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 119334, Российская Федерация
б Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, ул. Моховая 11, кор. 7, Москва, 125009, Российская Федерация

Дан обзор наиболее примечательных экспериментов, проведенных в ИФП РАН в кооперации с ИРЭ РАН по влиянию миллиметрового облучения, температуры T и магнитного поля B на проводимость туннельных структур сверхпроводник — изолятор — нормальный металл — изолятор — сверхпроводник (СИНИС) при температурах TTC и при малых напряжениях, при которых одноэлектронный ток сравним или меньше подщелевого двух электронного андреевского тока. Установлено, что при облучении с энергией квантов ħω ≫ kT электронная подсистема в нормальном металле не достигает равновесия. При импульсном облучении получена оценка постоянной времени СИНИС структур как детектора излучения на уровне единиц микросекунд. Исследовано воздействие магнитного поля на одноэлектронную и на андреевскую проводимость СИНИС.

Ключевые слова: туннельные переходы, структуры сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник, андреевский ток, детекторы излучения миллиметрового диапазона, электронная температура, электрон-фононное взаимодействие, вихревая структура Абрикосова
DOI: 10.3367/UFNr.2024.12.039844
Цитата: Лемзяков С А, Тарасов М А, Эдельман В С "Влияние внешних воздействий на низкотемпературную проводимость СИНИС туннельных структур" УФН, принята к публикации

Поступила: 17 января 2025, 18 декабря 2024

English citation: Lemzyakov S A, Tarasov M, Edelman V S “The impact of external influences on the low-temperature conductivity of SINIS tunnel structuresPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2024.12.039844

© Успехи физических наук, 1918–2025
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение