Cтатьи, принятые к публикации

Приборы и методы исследований


Эффект увеличения коэффициента обратнорассеянных электронов на многослойных наноструктурах и инверсия контраста изображений в сканирующей электронной микроскопии

,
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

В работе обсуждены причины увеличения коэффициента обратнорассеянных электронов (ОРЭ) на многослойных пленочных наноструктурах при их исследовании в сканирующем электронном микроскопе (СЭМ). Рассмотрены условия возникновения инверсии контраста их изображений. Впервые получено полное аналитическое выражение для сигнала, детектируемого в режиме ОРЭ в СЭМ, для многослойных наноструктур. Решение прямой и обратной задач, связывающих величины сигнала с композицией трехмерного образца в зависимости от энергии зондирующих электронов, позволяет определять толщины и глубины залегания нанообъектов в массиве матрицы с большим пространственным разрешением. Основные расчеты в предлагаемой работе проведены по уточненным эмпирическим формулам, соответствующим экспериментальным данным авторов или приведенным в цитированной литературе.

Ключевые слова: сканирующая электронная микроскопия, обратнорассеянные электроны, многослойные тонкопленочные структуры, контраст изображений
PACS: 68.37.−d, 68.37.Hk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2025.01.039838
Цитата: Рау Э И, Зайцев С В "Эффект увеличения коэффициента обратнорассеянных электронов на многослойных наноструктурах и инверсия контраста изображений в сканирующей электронной микроскопии" УФН, принята к публикации

Поступила: 7 июня 2024, доработана: 5 декабря 2024, 13 января 2025

English citation: Rau E I, Zaitsev S V “The effect of increasing the coefficient of backscattered electrons on multilayer nanostructures and inversion of image contrast in scanning electron microscopyPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2025.01.039838

© Успехи физических наук, 1918–2025
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение