Эффект увеличения коэффициента обратнорассеянных электронов на многослойных наноструктурах и инверсия контраста изображений в сканирующей электронной микроскопии
Э.И. Рау,
С.В. Зайцев Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
В работе обсуждены причины увеличения коэффициента обратнорассеянных электронов (ОРЭ) на многослойных пленочных наноструктурах при их исследовании в сканирующем электронном микроскопе (СЭМ). Рассмотрены условия возникновения инверсии контраста их изображений. Впервые получено полное аналитическое выражение для сигнала, детектируемого в режиме ОРЭ в СЭМ, для многослойных наноструктур. Решение прямой и обратной задач, связывающих величины сигнала с композицией трехмерного образца в зависимости от энергии зондирующих электронов, позволяет определять толщины и глубины залегания нанообъектов в массиве матрицы с большим пространственным разрешением. Основные расчеты в предлагаемой работе проведены по уточненным эмпирическим формулам, соответствующим экспериментальным данным авторов или приведенным в цитированной литературе.
Ключевые слова: сканирующая электронная микроскопия, обратнорассеянные электроны, многослойные тонкопленочные структуры, контраст изображений PACS:68.37.−d, 68.37.Hk (все) DOI:10.3367/UFNr.2025.01.039838 Цитата: Рау Э И, Зайцев С В "Эффект увеличения коэффициента обратнорассеянных электронов на многослойных наноструктурах и инверсия контраста изображений в сканирующей электронной микроскопии" УФН, принята к публикации
Поступила: 7 июня 2024, доработана: 5 декабря 2024, одобрена в печать: 13 января 2025