Cтатьи, принятые к публикации

Обзоры актуальных проблем


Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Оптические свойства полупроводников и наногетероструктур на их основе вблизи края фундаментального поглощения определяются электрон-дырочными комплексами, такими как экситоны и трехчастичные заряженные комплексы — трионы. В обзоре представлены результаты теоретических исследований строения и энергий связи локализованных экситонов и трионов в наносистемах в рамках вариационного подхода. Представленный подход применим к широкому кругу полупроводниковых систем: от квантовых ям, проволок и точек на основе классических полупроводников III-V и II-VI, до ван-дер-ваальсовых гетероструктур из монослоев дихалькогенидов переходных металлов. Кроме того, обсуждаются многочастичные эффекты, имеющие место в легированных структурах. Рассмотрение теоретических подходов сопровождается обсуждением экспериментальных результатов, широко представленных в литературе.

Ключевые слова: экситон, трион, энергия связи, волновая функция, локализация, квантовая яма, монослои дихалькогенидов переходных металлов, вариационный метод, оптические спектры
PACS: 78.67.−n, 78.67.De, 78.20.Bh, 78.30.Fs, 78.66.Li (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2020.11.038867
Цитата: Семина М А, Сурис Р А "Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах" УФН, принята к публикации

Поступила: 18 августа 2020, доработана: 14 ноября 2020, 18 ноября 2020

English citation: Semina M A, Suris R A “Localized excitons and trions in semiconductor nanosystemsPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2020.11.038867

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение