Cтатьи, принятые к публикации

Обзоры актуальных проблем


Топологические изоляторы на основе HgTe

 а, б,  в, б,  а, б,  г,  в,  в
а Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Новосибирский государственный университет, Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
в Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
г Universidade de São Paulo, Instituto de Física, São Paulo, Brazil

Дан обзор наиболее интересных результатов экспериментальных исследований двумерных и трехмерных топологических изоляторов (ТИ) на основе HgTe квантовых ям и пленок. Если говорить о свойствах двумерного ТИ, то к ним можно отнести наблюдение нелокального баллистического и диффузионного транспорта, магнитный пробой двумерного ТИ и аномальную температурную зависимость сопротивления краевых каналов. Для трехмерного ТИ — это достижение рекордно высокой подвижности (до $5\times10^5$см$^2/$Вс) поверхностных двумерных дираковских фермионов (ДФ) и определение благодаря этому всех его основных параметров (объемной щели, концентрации дираковских фермионов на обеих его поверхностях), а также получение информации о фазе щубниковских осцилляций ДФ, свидетельствующей о жесткой топологической связи их спина и импульса. В заключении обсуждаются перспективы дальнейших исследований.

PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2019.10.038669
Цитата: Квон З Д, Козлов Д А, Ольшанецкий Е Б, Гусев Г М, Михайлов Н Н, Дворецкий С А "Топологические изоляторы на основе HgTe" УФН, принята к публикации

Поступила: 13 мая 2019, доработана: 25 сентября 2019, 4 октября 2019

English citation: Kvon Z D, Kozlov D A, Olshanetskii E B, Gusev G M, Mikhailov N N, Dvoretskii S A “Topological insulator on the basis of HgTePhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038669

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение