Cтатьи, принятые к публикации

К 100-летию Физико-технического института (ФТИ) им. А.Ф. Иоффе


Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур

 а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  б, а,  б, а,  б, а,  б, а
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Experimentelle Physik II, Universität Dortmund, Otto-Hahn-Straße 4, Dortmund, D-44227, Germany

Требования к миниатюризации, увеличению быстродействия и энергоэффективности электронных устройств привели к зарождению и бурному развитию спиновой электроники, или спинтроники. В обзоре рассмотрены несколько актуальных направлений экспериментальных и теоретических исследований, в которых активно участвуют сотрудники Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ). Не ограничиваясь работами сотрудников ФТИ, в обзоре обсуждается прогресс в создании магнитных полупроводниковых и гибридных структур; в разработке методов манипуляции одиночными спинами; развитии теорий переключения намагниченности металлических гетероструктур электрическим полем; а также в поиске подходов к сверхбыстрому управлению намагниченностью путем воздействия на магнитную анизотропию фемтосекундными лазерными импульсами.

Ключевые слова: спиновая поляризация, спиновый транспорт, ферромагнитный эффект близости, оптически детектируемый магнитный резонанс, лазерно-индуцированная сверхбыстрая динамика намагниченности, одиночные спины, спин-ориентационные переходы, магнитная анизотропия, разбавленные магнитные полупроводники, ферромагнетики, ферримагнетики
PACS: 85.75.−d, 75.76.+j, 75.78.Jp, 78.30.Fs, 78.55.Et, 76.70.Hb, 75.30.Kz, 75.50.Bb, 75.50.Gg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.11.038486
Цитата: Баранов П Г, Калашникова А М, Козуб В И, Коренев В Л, Кусраев Ю Г, Писарев Р В, Сапега В Ф, Акимов И А, Байер М, Щербаков А В, Яковлев Д Р "Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур" УФН, принята к публикации

Поступила: 7 сентября 2018, доработана: 19 сентября 2018, 22 ноября 2018

English citation: Baranov P G, Kalashnikova A M, Kozub V I, Korenev V L, Kusrayev Yu G, Pisarev R V, Sapega V F, Akimov I A, Bayer M, Scherbakov A V, Yakovlev D R “Spintronics of semiconductor, metallic, dielectric, and hybrid structuresPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2018.11.038486

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение