Cтатьи, принятые к публикации

Конференции и симпозиумы


Плазменные источники экстремального ультрафиолетового излучения для литографии и сопутствующих технологических процессов

 а,  б,  а,  в,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  г,  д,  б,  а,  б,  б,  б,  а,  в,  в,  а,  а
а Институт спектроскопии РАН, ул. Физическая 5, Троицк, Москва, 108840, Российская Федерация
б Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, Миусская пл. 4, Москва, 125047, Российская Федерация
в ООО "ЭУФ Лабс", Сиреневый бульв. 1, Троицк, Москва, 142191, Российская Федерация
г Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
д Московский физико-технический институт (Государственный университет), Институтский пер. 9, Долгопрудный, Московская обл., 141700, Российская Федерация

Описаны результаты исследований, посвященных разработке плазменных источников экстремального ультрафиолетового излучения для литографии нового поколения и разработке методов спектральной диагностики таких источников.

Ключевые слова: ЭУФ-литография, лазерная плазма, источники излучения
PACS: 42.82.Cr, 52.25.Os, 52.59.−f, 52.70.−m, 52.77.−j (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.06.038447
Цитата: Медведев В В, Грушин А С, Кривцун В М, Виноходов А Ю, Анциферов П С, Кривокорытов М С, Астахов Д И, Абраменко Д Б, Дорохин Л А, Снегирев Е П, Якушев О Ф, Лакатош Б В, Вичев И Ю, Гаязов Р Р, Соломянная А Д, Цыгвинцев И П, Ким Д А, Сидельников Ю В, Якушкин А А, Лаш А А, Рябцев А Н, Кошелев К Н "Плазменные источники экстремального ультрафиолетового излучения для литографии и сопутствующих технологических процессов" УФН, принята к публикации

20 июня 2018

English citation: Medvedev V V, Grushin A S, Krivtsun V M, Vinokhodov A Yu, Antsiferov P S, Krivokorytov M S, Astakhov D I, Abramenko D B, Dorokhin L A, Snegirev E P, Yakushev O F, Lakatosh B V, Vichev I Yu, Gayazov R R, Solomyannaya A D, Tsygvintsev I P, Kim D A, Sidel’nikov Yu V, Yakushkin A A, Lash A A, Ryabtsev A N, Koshelev K N “Plasma-based sources of extreme ultraviolet radiation for lithography and mask inspectionPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2018.06.038447

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение