Cтатьи, принятые к публикации

Конференции и симпозиумы


Равновесная форма поверхности кристаллов 4He вблизи критических ориентаций

 а,  а, б
а Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 117334, Российская Федерация
б Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», ул. Мясницкая 20, Москва, 101000, Российская Федерация

Выяснены условия применимости теории среднего поля для описания термодинамики поверхности кристаллов 4He. Хотя сам переход огранения относится к типу Березинского-Костерлица-Таулеса, термодинамический потенциал вне узкой окрестности температуры перехода можно разлагать в ряд в духе теории Ландау фазовых переходов второго рода. Найден параметр Гинзбурга-Леванюка. Дано объяснение сингулярностей поверхностной жесткости вблизи критических ориентаций, наблюдаемых вдали от критической температуры.

Ключевые слова: квантовые кристаллы, фазовые переходы, поверхностные явления, переход Березинского--Костерлица--Таулеса
Цитата: Андреев А Ф, Мельниковский Л А "Равновесная форма поверхности кристаллов 4He вблизи критических ориентаций" УФН, принята к публикации

13 декабря 2017

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение