Выпуски

 / 

2018

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований экситонных эффектов в мономолекулярных слоях дихалькогенидов переходных металлов. В этих двумерных полупроводниках прямая запрещённая зона шириной порядка 2 эВ реализуется на границах зоны Бриллюэна, а энергия связи нейтральных и заряженных экситонов составляет сотни и десятки миллиэлектронвольт соответственно. Таким образом, оптические свойства монослоёв дихалькогенидов переходных металлов контролируются электронно-дырочными кулоновскими комплексами. Обсуждаются детали зонной структуры, необходимые для понимания экситонных эффектов в этих материалах, строение и тонкая структура экситонов и трионов, особенности спиновой и долинной динамики кулоновских комплексов, а также проявления нейтральных и заряженных экситонов в линейных и нелинейных оптических эффектах.

Текст pdf (1,7 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.07.038172
Ключевые слова: монослои дихалькогенидов переходных металлов, кулоновское взаимодействие, обменное взаимодействие, экситон, трион, спиновая динамка, долинная динамика, оптическая ориентация, двухфотонное поглощение, генерация второй гармоники, эффект Зеемана
PACS: 71.35.−y, 73.20.Mf, 78.67.−n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.07.038172
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/9/a/
000452480000001
2-s2.0-85058448965
2018PhyU...61..825D
Цитата: Дурнев М В, Глазов М М "Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов" УФН 188 913–934 (2018)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 4 июля 2017, доработана: 14 июля 2017, 14 июля 2017

English citation: Durnev M V, Glazov M M “Excitons and trions in two-dimensional semiconductors based on transition metal dichalcogenidesPhys. Usp. 61 825–845 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.07.038172

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение