Cтатьи, принятые к публикации

Памяти Леонида Вениаминовича Келдыша


Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах

 а, б,  в,  в,  в
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», ул. Мясницкая 20, Москва, 101000, Российская Федерация
в Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Воробьевы горы, Москва, 119991, Российская Федерация

В обзоре приведено описание экспериментальных данных, полученных методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), в которых наиболее ярко проявилось влияние неравновесных туннельных эффектов и реконструкции электронного спектра, а также дано их теоретическое объяснение, основанное на самосогласованном учете неравновесного распределения электронов и изменения электронной плотности состояний в области туннельного контакта при протекании туннельного тока. Обсуждаются основные положения самосогласованной теории туннелирования, на которую могут опираться экспериментаторы в своих исследованиях и которая позволяет не только описывать многие эффекты, наблюдаемые в СТМ/СТС экспериментах, но и дает возможность предсказывать новые. Посвящается Л.В. Келдышу, который был инициатором экспериментальных работ по сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии в МГУ имени М.В. Ломоносова и создателем неравновесной диаграммной техники, на основе которой появилось согласованное теоретическое описание туннельных процессов.

Ключевые слова: туннелирование, сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия, локализованные состояния, диаграммная техника Келдыша, неравновесные процессы, межчастичное взаимодействие
PACS: 68.37.Ef, 05.60.Gg, 73.40.Gk, 73.63.−b (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.01.038055
Цитата: Арсеев П И, Манцевич В Н, Маслова Н С, Панов В И "Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах" УФН, принята к публикации

Поступила: 12 декабря 2016, 28 января 2017

English citation: Arseev P I, Mantsevich V N, Maslova N S, Panov V I “Tunneling processes peculiarities in the semiconductor nanostructuresPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2017.01.038055

Л.В. Келдыш — автор УФН

© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение