Коллективные состояния экситонов в полупроводниках
М.М. Глазов,
Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
Дан обзор многочастичных эффектов в ансамблях экситонов в полупроводниках с акцентом на двумерные системы: структуры с одиночными и двойными квантовыми ямами и с квантовыми микрорезонаторами. Обсуждается эффект конденсации Бозе—Эйнштейна — накопления макроскопического числа экситонов в основном состоянии системы. Известный запрет на конденсацию в низкоразмерных системах может быть снят за счёт беспорядка, обусловленного хаотическим потенциалом. Анализируются проявления конечного времени жизни экситонов и соответственно неравновесности системы, обусловленной процессами прихода и ухода экситонов в конденсатное состояние. Кратко описываются другие коллективные фазы экситонов: двумерный кристалл диполярных экситонов и электронно-дырочная жидкость, возникающие в результате взаимодействия между частицами.
Ключевые слова: экситон, конденсат Бозе—Эйнштейна, сверхтекучесть, беспорядок, диполярный экситон, экситонный поляритон PACS:03.75.Hh, 03.75.Kk, 71.35.−y, 71.35.Lk, 71.36.+c, 72.15.Rn (все) DOI:10.3367/UFNr.2019.10.038663 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2020/11/a/ Цитата: Глазов М М, Сурис Р А "Коллективные состояния экситонов в полупроводниках" УФН190 1121–1142 (2020)