Выпуски

 / 

2019

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

 а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  б, а,  б, а,  б, а,  б, а
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Experimentelle Physik II, Universität Dortmund, Otto-Hahn-Straße 4, Dortmund, D-44227, Germany

Требования к миниатюризации, увеличению быстродействия и энергоэффективности электронных устройств привели к зарождению и бурному развитию спиновой электроники, или спинтроники. Рассмотрено несколько актуальных направлений экспериментальных и теоретических исследований, в которых активно участвует Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ). Обсуждается достигнутый к настоящему времени прогресс в создании полупроводниковых и гибридных структур, проявляющих заданные магнитные свойства, в разработке методов манипуляции одиночными спинами, теоретическом описании переключения намагниченности металлических гетероструктур электрическим полем, а также в сверхбыстром управлении намагниченностью посредством воздействия на магнитную анизотропию фемтосекундными лазерными импульсами.

Текст pdf (1,5 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2018.11.038486
Ключевые слова: спиновая поляризация, спиновый транспорт, ферромагнитный эффект близости, оптически детектируемый магнитный резонанс, лазерно-индуцированная сверхбыстрая динамика намагниченности, одиночные спины, спин-ориентационные переходы, магнитная анизотропия, разбавленные магнитные полупроводники, ферромагнетики, ферримагнетики
PACS: 75.30.Kz, 75.50.Bb, 75.50.Gg, 75.76.+j, 75.78.Jp, 76.70.Hb, 78.30.Fs, 78.55.Et, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.11.038486
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/d/
000504891900003
2-s2.0-85074389818
2019PhyU...62..795B
Цитата: Баранов П Г, Калашникова А М, Козуб В И, Коренев В Л, Кусраев Ю Г, Писарев Р В, Сапега В Ф, Акимов И А, Байер М, Щербаков А В, Яковлев Д Р "Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН 189 849–880 (2019)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Spintronics of semiconductor, metallic, dielectric, and hybrid structures (100th anniversary of the Ioffe Institute)
A1 Baranov,P.G.
A1 Kalashnikova,A.M.
A1 Kozub,V.I.
A1 Korenev,V.L.
A1 Kusrayev,Yu.G.
A1 Pisarev,R.V.
A1 Sapega,V.F.
A1 Akimov,I.A.
A1 Bayer,M.
A1 Scherbakov,A.V.
A1 Yakovlev,D.R.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2019
FD 10 Aug, 2019
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 189
IS 8
SP 849-880
DO 10.3367/UFNr.2018.11.038486
LK https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/d/

Поступила: 7 сентября 2018, доработана: 19 сентября 2018, 22 ноября 2018

English citation: Baranov P G, Kalashnikova A M, Kozub V I, Korenev V L, Kusrayev Yu G, Pisarev R V, Sapega V F, Akimov I A, Bayer M, Scherbakov A V, Yakovlev D R “Spintronics of semiconductor, metallic, dielectric, and hybrid structures (100th anniversary of the Ioffe Institute)Phys. Usp. 62 795–822 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.11.038486

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение