|
||||||||||||||||||
Микроволновoе стимулирование дислокаций и магнитный контроль очага землетрясенияФедеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семенова РАН, ул. А.Н. Косыгина 4, Москва, 119991, Российская Федерация Микроволновое облучение преобразует упругость твёрдых тел в пластичность, управляя подвижностью дислокаций через магнитные взаимодействия в электронно-спиновых парах на дислокациях. В ионных кристаллах микроволны производят увеличение скорости движения дислокаций и длины их пробега, обеспечивая высвобождение упругой энергии; в ковалентных кристаллах они закрепляют дислокации, аккумулируя упругую энергию и увеличивая прочность кристаллов. Эффекты микроволновой накачки на резонансных зеемановских частотах (в режиме магнитных резонансов) являются твёрдым доказательством физики электронно-спиновых пар и самого явления магнитопластичности. Однако главный вклад в макроскопическое преобразование упругой энергии в пластическое течение вносят нерезонансные поля. Именно их можно использовать для управления механикой диамагнитных твёрдых тел, включая очаг землетрясения. Наблюдаемые корреляции между магнитными событиями (магнитные бури, мощные магнитные импульсы магнитогидродинамических генераторов) и их сейсмотектоническими следствиями (частота и амплитуда землетрясений и деформаций) указывают на то, что магнитный контроль очага землетрясений реален и может использоваться для предотвращения катастроф и преобразования крупномагнитудных землетрясений в слабые, маломагнитудные.
|
||||||||||||||||||
|