Выпуски

 / 

2018

 / 

Декабрь

  

Обзоры актуальных проблем


Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы

 а,  б
а Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119991, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Представлен обзор современного состояния в области применения двумерного углеродного материала графена в электронике с нанометровыми элементами—наноэлектронике. Кратко описана история получения графена. Дан обзор теоретических работ, посвящённых графеновым гетероструктурам. Основное внимание уделено практическому использованию графена в наноэлектронике. Рассмотрены перспективы графеновой и постграфеновой наноэлектроники.

Текст pdf (3,2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038231
Ключевые слова: графен, наноэлектроника, гетероструктуры, транзисторы, диоды, сенсоры, интегральные схемы
PACS: 68.65.Cd, 68.65.Pq, 73.21.Fg, 73.40.Gk, 73.50.−h, 85.30.Tv, 85.40.−e, 85.60.−q, 85.65.+h (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.11.038231
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/12/a/
000459955400001
2018PhyU...61.1139R
Цитата: Ратников П В, Силин А П "Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы" УФН 188 1249–1287 (2018)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы
A1 Ратников,П.В.
A1 Силин,А.П.
PB Успехи физических наук
PY 2018
FD 10 Dec, 2018
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 188
IS 12
SP 1249-1287
DO 10.3367/UFNr.2017.11.038231
LK https://ufn.ru/ru/articles/2018/12/a/

Поступила: 8 августа 2017, доработана: 20 октября 2017, 10 ноября 2017

English citation: Ratnikov P V, Silin A P “Two-dimensional graphene electronics: current status and prospectsPhys. Usp. 61 1139–1174 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038231

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение