Выпуски

 / 

2018

 / 

Ноябрь

  

Конференции и симпозиумы


Поверхностные состояния топологических изоляторов


Friedrich-Alexander University of Erlangen-Nürnberg, Schlossplatz 4, Erlangen, 91054, Germany

Топологические электронные состояния были предсказаны Б.А. Волковым и О.А. Панкратовым в 1985 г. как пограничные состояния в инверсном контакте между полупроводниками IV—VI со взаимно инвертированными зонами. Как стало ясно впоследствии, "инвертированный" полупроводник SnTe является топологическим изолятором и инверсный контакт служит примером топологически нетривиальной границы. Обсуждаются основные результаты работы Б.А. Волкова и О.А. Панкратова 1985 года и рассматривается, чем модель инверсного контакта может быть полезна для объяснения тесной связи между топологически нетривиальной зонной структурой в объёме и топологическими состояниями на поверхности. Модель инверсного контакта даёт определённые преимущества для более глубокого понимания этой связи, поскольку она допускает аналитическое решение. Неоднородная полупроводниковая структура описывается с помощью эффективного гамильтониана Дирака для материалов IV—VI, полученного аналитически из модели сильной связи. Это позволяет проследить связь между топологическими поверхностными состояниями и зонами в объёме. В результате спиновая текстура поверхностных состояний может быть явно выражена через объёмные характеристики. Оказывается, что спиновой текстурой можно управлять, изменяя изгиб зон на поверхности. В связи с нетривиальной спиновой поляризацией на поверхности интересно рассмотреть взаимодействие Рудермана—Киттеля—Касуи—Иосиды (РККИ) магнитных адатомов, которое может служить локальным зондом для спинового распределения. Это взаимодействие имеет гораздо более сложную структуру, чем в случае обычного неполяризованного ферми-газа. Аналитическая теория позволяет получить явную связь между РККИ-взаимодействием на поверхности топологического изолятора и параметрами объёмного спектра.

Текст pdf (1,5 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2017.12.038307
Ключевые слова: топологические изоляторы, топологические поверхностные состояния, инверсный контакт, спиновая текстура
PACS: 73.20.−r, 73.40.Lq, 73.43.Cd (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2017.12.038307
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/11/k/
000457154900010
2-s2.0-85062295444
2018PhyU...61.1116P
Цитата: Панкратов О А "Поверхностные состояния топологических изоляторов" УФН 188 1226–1237 (2018)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Understanding surface states of topological insulators
AU Pankratov, O. A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2018
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 188
IS 11
SP 1226-1237
UR https://ufn.ru/ru/articles/2018/11/k/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.12.038307

Поступила: 29 января 2018, 13 декабря 2017

English citation: Pankratov O A “Understanding surface states of topological insulatorsPhys. Usp. 61 1116–1126 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.12.038307

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение